Эпитаксия – процесс выращивания кристаллов на специальной подложке. Она может быть некристаллической или кристаллической. В зависимости от этого существует две классификации процесса: гетероэпитаксия и гомоэпитаксия. Также существует эндотаксия. Это выращивание моноструктур на подложке из любого материала.

Эпитаксиальное выращивание

Виды эпитаксии

Процесс применяют в производстве кремния и других кристаллических пород. Выращивание материала проводят только на подложках.

Виды эпитаксиального выращивания моноструктур:

  • Молекулярно-лучевая. Впервые этот метод применили в 90-х годах двадцатого века. В нем происходит выращивание пород на молекулярном уровне. Обязательным условием выполнения такого техпроцесса является наличие в рабочем пространстве установки вакуумной среды. Ее создают с помощью насоса. В качестве него в большинстве случаев выступают механические агрегаты. К ним относят роторные, пластинчатые, жидкостно-кольцевые, спиральные, поршневые и прочие установки.
  • Газофазная. В ней происходит осаждение газовых и паровых смесей исходной фазы. В рабочем пространстве системы создают низкий уровень атмосферного давления. При этом температура подложки должна быть в диапазоне от +400 до 1200° С. Стоит отметить, что выбор температуры осуществляют на основании плотности структуры подложки.
  • Жидкостная. Породу выращивают из жидкой фазы. В рабочем пространстве оборудования создают атмосферу, которая заполнена водородом, азотом или вакуумом. С помощью такой технологии получают многослойные материалы.

Существует эпитаксия из твердых тел. Она не обрела популярность, поскольку является сложным и дорогостоящим процессом.