Молекулярно лучевая эпитаксия – процесс выращивания моноструктур и кристаллов на молекулярно уровне. Для этого необходимо специальное оборудование. С помощью такой технологии удается получать различные сложные породы и искусственные камни.

Молекулярная эпитаксия: метод

Технология была предложена в 60-х годах 20-го века. Именно тогда ученым удалось разработать и сконструировать оборудование для ее выполнения. Итак, в рабочем пространстве оборудования создают определенный уровень технического вакуума. Именно с его помощью получают наноструктуры высокого качества. Вакуум не пропускает в рабочее пространство воздух.

Основанием для роста кристалла служит специальная подложка. Она должна быть чистой и качественной. От этого зависит и качество получаемого материала. После этого в рабочем пространстве создают высокий температурный режим. Под его воздействием молекулы напыляемого материала начинают осаживаться на подложке, формируя слои будущего кристалла.

Метод МЛЭ

Молекулярно лучевая эпитаксия: оборудование

Установки производят согласно ГОСТов.

Устройство оборудования для epitaxy:

  • Корпус. В нем расположена рабочая камера. Он изготовлен из нержавеющей стали. Некоторые модификации оборудования оснащают не одной, а несколькими камерами: загрузки, рабочей и исследовательской.
  • Манипуляторы. С их помощью фиксируют подложку. Они могут вращаться. Такие манипуляторы используют для выращивания сложных пород.
  • Молекулярный источник. Он предназначен для испарения смесей, которые необходимы для выращивания кристаллов.
  • Криопанели. Эти элементы создают низкий температурный режим.

Самым главным функциональным элементом является подложка. Она имеет форму диска. Ее производят из кремния, галлия или другого материала.